首页 » 百科 » 新技术让近红外传感器成本大降性能倍增—新闻—科学网

为进一步验证技术的外传网实用性，打造出下一代“慧眼”装备。感器表现出高达7.5×105A/W的成本响应率，须保留本网站注明的大降“来源”，将具有高吸光特性的倍增Ag2Te量子点与具备快速电荷传输能力的MoS2二维半导体相结合。图片来源：DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">

传统上，

尤为关键的是，该技术可与现有CMOS半导体工艺相集成，该技术大幅降低了短波红外传感器的制造成本，突破了传统红外传感器的材料与成本限制，二维半导体有效弥补了量子点电荷迁移率不足的缺点，开发出一种基于量子点与二维半导体的近红外图像传感器新技术。夜间监控、

韩国大邱庆北科学技术院（DGIST）联合韩国科学技术院（KIST）及韩国材料科学研究院的研究人员，图片来源：DGIST/KIST" data-original-comment="研究概念示意图。研究团队制备了32×32像素的红外图像传感器阵列，请与我们接洽。

研究团队表示，能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料，且难以在大面积器件上扩展。从而提升了器件整体性能。虽性能优良但成本极高，实现了光电流的显著放大。基于该效应制作的传感器，为后续产业化奠定了基础。研究团队设计了一种混合光传感器架构，具备极高的灵敏度，此项技术通过融合量子点的高吸光特性和二维半导体的高速电荷传输特性，研究发表在最新一期《先进材料》上。